商品説明

特徴

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。

仕様

●サイズ：2インチシリコンウェハ
●直径（mm）：50.0±1.0
●ウェハー厚（μm）：280±25
●製造方法：CZ法
●導電型：P型
●面方位：100
●OF方位：110
●抵抗値（Ω・cm）：1～100
●OF：有
●面状態：ミラー/エッチド
●パーティクル：ダストフリー
●TTV（μm）：≦25
●数量：25枚（1箱）
●※特注対応品
●▼方位（切断角度）、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●▼多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。
●▼ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
●1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し