4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 1枚 光沢のある片面ミラー仕上げのシリコンウェハが置かれている状態
4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 1枚 光沢のある片面ミラー仕上げのシリコンウェハが置かれている状態

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4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 1枚

商品番号ASO-65-3736-40
入数 : 1枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : P型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : 1~100

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

36,505 円

1箱36,505 円

3 箱

109,393 円

1箱36,464.3 円

5 箱

182,118 円

1箱36,423.6 円

10 箱

363,829 円

1箱36,382.9 円

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

40,155

1箱あたり40,155.5円

商品価格(税別)

36,505

1箱あたり36,505円

消費税

3,650


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商品仕様

商品番号ASO-65-3736-40
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度シリコンウェハーで研究を加速

4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品は、研究・開発用として実績のある高純度材料を用いたウェハーです。
少量からご提供可能で、特注対応により様々な加工ニーズにも柔軟に対応できます。

製品仕様と特性

このシリコンウェハーは、直径100.0±0.2mm、厚み525±25μmの規格を持ち、CZ法による高精度製造がなされています。
抵抗値は1~100Ω・cmで、P型導電型、面方位100、OF方位110を持ちます。
ミラー/エッチドの面状態で、ダストフリーを実現しているため、クリーンな環境での作業に最適です。
TTVは≦25μmと、厚みの均一性も保証されています。

多様な用途に対応

本製品は、半導体向けの結晶材を使用しており、正確な溝形成が可能なエッチング加工に最適です。
ざぐり加工や穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理が可能です。
比抵抗率やウェハー厚みのカスタマイズにも対応しています。

おすすめの用途と対象

このシリコンウェハーは、半導体研究や開発を行う企業や研究機関の方々に特におすすめです。
高精度な加工が求められるプロジェクトや、多様な表面処理が必要な実験に最適な選択肢となることでしょう。
事業者向けの商品として、プロフェッショナルな用途においてその性能を発揮します。

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