| 商品番号 | ASO-65-3736-41 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 5枚は、研究や開発に実績を持つ高純度の素材を使用しており、少量からのご提供が可能です。
ウェハーの直径は100.0±0.2mm、厚さは525±25μmと、精密な仕様を備えています。
CZ法で製造されたこのウェハーは、P型の導電性を持ち、面方位は100、OFF方位は110と、研究開発に最適な特性を持っています。
抵抗値は1~100Ω・cmで、様々な研究のニーズに対応可能です。
本製品はダストフリーのミラー/エッチド面状態を持ち、TTVは25μm以下と高い平坦性を誇ります。
特注対応品として、切断角度やOF方位角度公差、厚み公差をより小さく加工できます。また、エッチングによる正確な溝形成や、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理が可能です。
ご希望の比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズにも応じます。
このシリコンウェハーは、半導体向けの結晶材を使用しているため、半導体研究や開発プロジェクトに最適です。
材料純度に関する証明は対応できませんが、研究開発用としての実績と信頼性があります。
特に、精密な加工が求められる研究機関や開発者、企業の研究部門におすすめです。
なお、本製品は事業者向けの商品となっておりますので、専門的な用途でのご使用をお勧めいたします。