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4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 5枚

商品番号ASO-65-3736-41
入数 : 5枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : P型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : 1~100

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

46,920

1箱46,920

3 箱

138,000

1箱46,000

5 箱

225,400

1箱45,080

10 箱

427,800

1箱42,780

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

51,612

1箱あたり51,612円

商品価格(税別)

46,920

1箱あたり46,920円

消費税

4,692


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最短出荷日

10月14日(水)

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10月15日(木)

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商品仕様

商品番号ASO-65-3736-41
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度シリコンウェハーで研究の幅を広げる

4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 5枚は、研究や開発に実績を持つ高純度の素材を使用しており、少量からのご提供が可能です。
ウェハーの直径は100.0±0.2mm、厚さは525±25μmと、精密な仕様を備えています。
CZ法で製造されたこのウェハーは、P型の導電性を持ち、面方位は100、OFF方位は110と、研究開発に最適な特性を持っています。
抵抗値は1~100Ω・cmで、様々な研究のニーズに対応可能です。

多様な加工と表面処理の可能性

本製品はダストフリーのミラー/エッチド面状態を持ち、TTVは25μm以下と高い平坦性を誇ります。
特注対応品として、切断角度やOF方位角度公差、厚み公差をより小さく加工できます。また、エッチングによる正確な溝形成や、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理が可能です。
ご希望の比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズにも応じます。

用途とおすすめのユーザー

このシリコンウェハーは、半導体向けの結晶材を使用しているため、半導体研究や開発プロジェクトに最適です。
材料純度に関する証明は対応できませんが、研究開発用としての実績と信頼性があります。
特に、精密な加工が求められる研究機関や開発者、企業の研究部門におすすめです。
なお、本製品は事業者向けの商品となっておりますので、専門的な用途でのご使用をお勧めいたします。

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