4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚 透明で平らなシリコンウェハが重なり合っている様子、光沢がある表面が確認できる。
4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚 透明で平らなシリコンウェハが重なり合っている様子、光沢がある表面が確認できる。

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4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚

商品番号ASO-65-3736-43
入数 : 25枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : P型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : 1~100

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

64,332 円

1箱64,332 円

3 箱

192,779 円

1箱64,259.6 円

5 箱

320,939 円

1箱64,187.8 円

10 箱

641,159 円

1箱64,115.9 円

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あり

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1箱あたり70,765.2円

商品価格(税別)

64,332

1箱あたり64,332円

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6,433


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商品仕様

商品番号ASO-65-3736-43
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度4インチシリコンウェハの特長

研究用に設計された「4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚」は、
高純度材料を使用しており、研究・開発用として多くの実績があります。
CZ法で製造され、P型導電の特性を持つこのウェハは、抵抗値が1~100Ω・cmと幅広く、
様々な研究開発ニーズに対応可能です。
サイズは直径100.0±0.2mm、厚みは525±25μmで、精密な加工が施されています。

仕様と高精度の加工技術

この製品は、1stオリフラ有り、2ndオリフラ無しのデザインで、
面状態はミラー/エッチドとなっています。OF方位は110で、
OF長は32.5±2.5mmです。
特注対応も可能で、方位やOF方位角度公差、厚み公差をより小さくすることができ、
エッチングによる正確な溝形成も可能です。
また、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理が可能です。

利用用途とおすすめの方

本製品は、半導体向け結晶材を使用しており、研究機関や開発部門でのプロジェクトに最適です。
特に、高精度な加工やカスタマイズが必要なプロジェクトにおいて、その性能を最大限に発揮します。
材料純度に関する証明は対応できませんが、ウェハーの特性と精度は、
半導体研究者やエンジニアにとって信頼のおける選択肢です。
事業者向け商品として、少量からのご提供が可能ですので、ニーズに合わせた柔軟な対応が可能です。

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