| 商品番号 | ASO-65-3736-43 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
研究用に設計された「4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚」は、
高純度材料を使用しており、研究・開発用として多くの実績があります。
CZ法で製造され、P型導電の特性を持つこのウェハは、抵抗値が1~100Ω・cmと幅広く、
様々な研究開発ニーズに対応可能です。
サイズは直径100.0±0.2mm、厚みは525±25μmで、精密な加工が施されています。
この製品は、1stオリフラ有り、2ndオリフラ無しのデザインで、
面状態はミラー/エッチドとなっています。OF方位は110で、
OF長は32.5±2.5mmです。
特注対応も可能で、方位やOF方位角度公差、厚み公差をより小さくすることができ、
エッチングによる正確な溝形成も可能です。
また、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理が可能です。
本製品は、半導体向け結晶材を使用しており、研究機関や開発部門でのプロジェクトに最適です。
特に、高精度な加工やカスタマイズが必要なプロジェクトにおいて、その性能を最大限に発揮します。
材料純度に関する証明は対応できませんが、ウェハーの特性と精度は、
半導体研究者やエンジニアにとって信頼のおける選択肢です。
事業者向け商品として、少量からのご提供が可能ですので、ニーズに合わせた柔軟な対応が可能です。