| 商品番号 | ASO-65-3736-44 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),高抵抗(≧1000Ω)] は、研究・開発用として実績のある高純度材料を使用し、少量からご提供可能なウェハーです。
製造方法にはFZ法を採用し、P型導電型、面方位100、OF方位110といった仕様で、抵抗値は驚異の≧1000Ω・cmを実現しています。
このシリコンウェハは直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmと非常に高精度。
面状態はミラー/エッチドとされ、ダストフリー環境での製造が確保されています。
TTV(全厚変動)は≦25μmと、均一性に優れた品質を持っています。
本製品は、より小さな公差での加工が可能で、エッチングによる正確な溝形成が必要なプロジェクトに最適です。
さらに、ざぐり加工や穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理が可能です。
このシリコンウェハは、半導体研究開発、電子デバイス製造の研究機関や企業の技術者に特におすすめです。
比抵抗率やウェハー厚みのカスタマイズが可能なため、専門的な用途にも応じたオーダーメイドな対応が可能です。
ただし、本製品は事業者向けの商品であり、材料純度に関する証明は対応できませんので予めご了承ください。