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4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧10000Ω)] 片面ミラーDF品 1枚

商品番号ASO-65-3736-48
入数 : 1枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : ドンドープ

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≧10000

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

124,440

1箱124,440

3 箱

366,000

1箱122,000

5 箱

597,800

1箱119,560

10 箱

1,134,600

1箱113,460

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

136,884

1箱あたり136,884円

商品価格(税別)

124,440

1箱あたり124,440円

消費税

12,444


9月1日 05:00までのご注文の場合

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10月15日(木)

お届け日の目安

※ 気象状況や運行状況により確約できるものではございません。

商品仕様

商品番号ASO-65-3736-48
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度と高精度を兼ね備えたシリコンウェハ

4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧10000Ω)] 片面ミラーDF品は、研究・開発の分野で実績を持つアイテムです。
高純度材料を使用し、少量からご提供可能なこのウェハは、最先端の研究を支える信頼の製品です。

仕様と特性

本製品は、直径100.0±0.2mm、厚み525±25μmの4インチシリコンウェハです。
FZ法で製造され、ノンドープの導電型、面方位は100、OF方位は110に設定されています。
抵抗値は≧10000Ω・cmと高く、研究用途において安定した性能を発揮します。
片面ミラー、エッチド面の状態を持ち、≧0.3μmのパーティクルは20個以下と、品質にも優れています。
TTV(厚さの変動)は≦25μmで、1枚からお求めいただけます。

多様な加工オプション

特注対応品として、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工できます。
また、エッチングによる正確な溝形成が可能で、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理に対応可能です。
ご希望の比抵抗率やウェハー厚みに合わせた対応もいたします。

用途とおすすめの方

このシリコンウェハは、半導体研究、電子デバイス開発、材料実験など、精密で高精度な性能が求められる用途に特に適しています。
高度な研究を行う研究機関や企業の研究開発部門での利用におすすめです。
なお、本製品は事業者向けの商品であり、材料純度に関する証明には対応しておりませんのでご注意ください。

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