| 商品番号 | ASO-65-3736-48 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧10000Ω)] 片面ミラーDF品は、研究・開発の分野で実績を持つアイテムです。
高純度材料を使用し、少量からご提供可能なこのウェハは、最先端の研究を支える信頼の製品です。
本製品は、直径100.0±0.2mm、厚み525±25μmの4インチシリコンウェハです。
FZ法で製造され、ノンドープの導電型、面方位は100、OF方位は110に設定されています。
抵抗値は≧10000Ω・cmと高く、研究用途において安定した性能を発揮します。
片面ミラー、エッチド面の状態を持ち、≧0.3μmのパーティクルは20個以下と、品質にも優れています。
TTV(厚さの変動)は≦25μmで、1枚からお求めいただけます。
特注対応品として、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工できます。
また、エッチングによる正確な溝形成が可能で、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理に対応可能です。
ご希望の比抵抗率やウェハー厚みに合わせた対応もいたします。
このシリコンウェハは、半導体研究、電子デバイス開発、材料実験など、精密で高精度な性能が求められる用途に特に適しています。
高度な研究を行う研究機関や企業の研究開発部門での利用におすすめです。
なお、本製品は事業者向けの商品であり、材料純度に関する証明には対応しておりませんのでご注意ください。