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4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧10000Ω)] 片面ミラーDF品 5枚

商品番号ASO-65-3736-49
入数 : 5枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : ドンドープ

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≧10000

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

133,620

1箱133,620

3 箱

393,000

1箱131,000

5 箱

641,900

1箱128,380

10 箱

1,218,300

1箱121,830

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

146,982

1箱あたり146,982円

商品価格(税別)

133,620

1箱あたり133,620円

消費税

13,362


9月1日 05:00までのご注文の場合

最短出荷日

10月14日(水)

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10月15日(木)

お届け日の目安

※ 気象状況や運行状況により確約できるものではございません。

商品仕様

商品番号ASO-65-3736-49
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度の4インチシリコンウェハで研究をサポート

4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧10000Ω)] 片面ミラーDF品は、研究開発分野で実績のある高純度材料を使用したウェハです。
FZ法で製造され、ノンドープの特性を持つこのウェハは、直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmと、研究に適した精度を誇ります。
高抵抗(≧10000Ω・cm)により、精密な実験や開発に最適です。

多様な用途に対応可能

このシリコンウェハは、片面がミラー仕上げのDF品で、エッチングによる正確な溝形成が可能です。
特注対応品として、▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく加工し、さらに酸化膜付きウェハーや穴あけ加工など、多様な形状加工と表面処理が行えます。
また、パーティクルは≧0.3μmで20個以下、TTVは≦25μmと優れた品質を持っています。

おすすめの用途

本製品は、半導体向けの結晶材を使用しており、特に高精度な実験が求められる大学や研究機関、企業の開発部門におすすめです。
比抵抗率やウェハー厚みの調整も可能で、さまざまなニーズに応じたカスタマイズが可能です。
なお、本製品は事業者向け商品であり、個人向けの販売ではございませんのでご注意ください。

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