4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧20000Ω)] 片面ミラーDF品 1枚 片面が滑らかで、光沢のあるシリコンウェハのアップクローズドショット
4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧20000Ω)] 片面ミラーDF品 1枚 片面が滑らかで、光沢のあるシリコンウェハのアップクローズドショット

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4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧20000Ω)] 片面ミラーDF品 1枚

商品番号ASO-65-3736-52
入数 : 1枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : ドンドープ

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≧20000

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

79,095 円

1箱79,095 円

3 箱

237,019 円

1箱79,006.3 円

5 箱

394,590 円

1箱78,918 円

10 箱

788,295 円

1箱78,829.5 円

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
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あり

合計金額(税込)

87,004

1箱あたり87,004.5円

商品価格(税別)

79,095

1箱あたり79,095円

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商品仕様

商品番号ASO-65-3736-52
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高精度研究用シリコンウェハ

4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧20000Ω)] 片面ミラーDF品は、
高純度の材料を用いて製造された高品質のシリコンウェハです。
研究・開発用途において実績があり、少量からのご提供が可能です。
このウェハは、FZ法による製造で、非常に高い抵抗値(≧20000Ω・cm)を持ち、
ノンドープの導電型が特徴です。
面方位は100で、OF方位は110に設定されています。

優れた仕様と多様な加工対応

100.0±0.2mmの直径と525±25μmの厚みを持ち、
ミラー/エッチドの面状態が特徴的なこのウェハは、
多様な形状加工と表面処理が可能です。
特に、ざぐり加工や穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなどの特注対応が可能であり、
高精度な方位角度や厚み公差での加工が求められるプロジェクトに最適です。
また、≧0.3μm,≦20個のパーティクル基準、TTV(μm):≦25といった厳しい品質基準もクリアしています。

用途とおすすめの方

本製品は、半導体向けの結晶材を使用しているため、
高度な研究開発や試作プロセスに最適です。
特に、材料純度や高抵抗が求められる半導体研究、
または精密な溝形成が必要なプロジェクトにおすすめです。
事業者向け商品として、エッチングや高度な加工技術を駆使した
カスタムソリューションを求める企業や研究機関に最適の選択肢となります。

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