| 商品番号 | ASO-65-3736-53 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧20000Ω)] は、
研究開発に実績のある高純度材料を使用し、少量からご提供可能な商品です。
このウェハーは、FZ法により製造され、導電型はノンドープ、面方位は100、
抵抗値は20,000Ω・cm以上を誇ります。
この製品は直径100.0±0.2mm、厚み525±25μmの4インチシリコンウェハです。
OF方位は110で、OF長は32.5±2.5mmです。表面状態はミラー/エッチドで、
パーティクルは0.3μm以上20個以下、TTVは25μm以下に抑えられています。
特注対応で、方位や厚みの公差を小さくし、エッチングによる正確な溝形成が可能です。
このシリコンウェハは、半導体研究や材料開発、精密加工が求められる実験に最適です。
特に、電子デバイスのプロトタイプ作成や、ナノテクノロジー研究の基盤材料として活用されます。
多様な形状加工や表面処理が可能で、特注対応により比抵抗率や厚みのカスタマイズも可能です。
この商品は、専門的な研究や開発に携わる企業や研究機関向けに設計されています。
高精度な加工が可能で、特に電子工学や材料科学の分野で高い評価を得ています。
半導体向けの高純度結晶材を使用していますが、材料純度に関する証明は対応していません。
事業者向けの商品であるため、専門的な知識を持つ方におすすめです。