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4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧20000Ω)] 片面ミラーDF品 5枚

商品番号ASO-65-3736-53
入数 : 5枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : ドンドープ

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≧20000

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

144,840

1箱144,840

3 箱

426,000

1箱142,000

5 箱

695,800

1箱139,160

10 箱

1,320,600

1箱132,060

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

159,324

1箱あたり159,324円

商品価格(税別)

144,840

1箱あたり144,840円

消費税

14,484


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10月15日(木)

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※ 気象状況や運行状況により確約できるものではございません。

商品仕様

商品番号ASO-65-3736-53
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度で精密な研究用シリコンウェハ

4インチシリコンウェハ 研究用 [ノンドープ(100),高抵抗(≧20000Ω)] は、
研究開発に実績のある高純度材料を使用し、少量からご提供可能な商品です。
このウェハーは、FZ法により製造され、導電型はノンドープ、面方位は100、
抵抗値は20,000Ω・cm以上を誇ります。

仕様と特性

この製品は直径100.0±0.2mm、厚み525±25μmの4インチシリコンウェハです。
OF方位は110で、OF長は32.5±2.5mmです。表面状態はミラー/エッチドで、
パーティクルは0.3μm以上20個以下、TTVは25μm以下に抑えられています。
特注対応で、方位や厚みの公差を小さくし、エッチングによる正確な溝形成が可能です。

利用用途と推奨ユーザー

このシリコンウェハは、半導体研究や材料開発、精密加工が求められる実験に最適です。
特に、電子デバイスのプロトタイプ作成や、ナノテクノロジー研究の基盤材料として活用されます。
多様な形状加工や表面処理が可能で、特注対応により比抵抗率や厚みのカスタマイズも可能です。

おすすめのポイント

この商品は、専門的な研究や開発に携わる企業や研究機関向けに設計されています。
高精度な加工が可能で、特に電子工学や材料科学の分野で高い評価を得ています。
半導体向けの高純度結晶材を使用していますが、材料純度に関する証明は対応していません。
事業者向けの商品であるため、専門的な知識を持つ方におすすめです。

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