4インチシリコンウェハ 研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 1枚

商品説明

高純度4インチシリコンウェハ

こちらは、研究用として高い実績を誇る「4インチシリコンウェハ 研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 1枚」です。
高純度材料を使用し、少量からのご提供が可能なこの製品は、研究開発における精密な作業に最適です。

製品の仕様と特性

このシリコンウェハは直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmのサイズで、CZ法により製造されています。
P型導電で面方位は100、抵抗値は≦0.02Ω・cmと非常に低く、電気特性に優れています。
表面はミラー/エッチドの状態でダストフリー、TTVは≦25μmと高精度な仕上がりです。
また、特注対応でより高精度な加工や多様な形状加工が可能です。

具体的な利用用途とおすすめの方

このシリコンウェハは、半導体研究、ナノテクノロジー、電子デバイスの開発など、精緻な作業が要求される分野に最適です。
特に、高精度なエッチングや比抵抗率の調整が必要なプロジェクトにおいて、その真価を発揮します。
研究機関、大学の研究室、ハイテク産業の開発部門など、精度と信頼性を重視する方におすすめです。
ただし、材料純度の証明には対応しておりませんのでご注意ください。