| 商品番号 | ASO-65-3736-57 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
研究・開発用に最適な高純度4インチシリコンウェハです。
P型(100)低抵抗タイプで、抵抗値は≦0.02Ω・cmに設定されています。
片面ミラーDF品として、5枚セットでご提供します。
CZ法で製造され、ダストフリーで高精度な表面を実現しています。
TTVは≦25μmと均一な厚みを持ち、研究開発における安定した性能を保証します。
このシリコンウェハは、半導体研究や開発、試作段階での使用において優れた選択肢です。
特注対応が可能で、ウェハーの厚みや比抵抗率など、様々な仕様に応じたカスタマイズが可能です。
エッチングや多様な形状加工、表面処理にも対応し、複雑な研究開発プロジェクトをサポートします。
例えば、正確な溝形成が求められるプロジェクトや、酸化膜付きウェハーが必要な場合にも対応可能です。
半導体デバイスの研究者や開発者、大学の研究機関、精密な試作を行う企業に特におすすめです。
また、特殊な結晶材の使用が可能であるため、材料科学の分野においてもご利用いただけます。
高精度な加工が求められる場面で、その性能を最大限に活かせる商品です。
事業者向け商品となっておりますので、プロフェッショナルな環境でのご使用に適しています。