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4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品 10枚

商品番号ASO-65-3736-58
入数 : 10枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : P型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≦0.02

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

102,000

1箱102,000

3 箱

300,000

1箱100,000

5 箱

490,000

1箱98,000

10 箱

930,000

1箱93,000

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

112,200

1箱あたり112,200円

商品価格(税別)

102,000

1箱あたり102,000円

消費税

10,200


9月1日 05:00までのご注文の場合

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10月15日(木)

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商品仕様

商品番号ASO-65-3736-58
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度シリコンウェハーで研究開発をサポート

4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品は、研究・開発用に特化した製品です。高純度の材料を使用したこのウェハーは、少量からのご提供が可能で、質の高い研究をサポートします。
特注対応により、切断角度や厚みの公差をより小さく加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が実現可能です。さらに、多様な形状加工や表面処理により、ニーズに応じたカスタマイズが可能です。

仕様と特性

このシリコンウェハーは、直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmのサイズで、P型の導電型を持ち、面方位は100です。抵抗値は≦0.02Ω・cmと低抵抗で、CZ法で製造されています。面状態はミラー/エッチドで、ダストフリーの環境で製造されているため、パーティクルが非常に少ない製品です。TTVは≦25μmで、10枚入りです。
1stオリフラ有り、2ndオリフラ無しの仕様で、半導体向けの結晶材を使用し製造されていますが、材料純度に関する証明等は対応できません。

利用用途とおすすめの方

この製品は、半導体研究や材料開発の分野で活用されるほか、電子デバイスの製造プロセスの研究にも適しています。特に、精密なエッチングや特定の面方位・抵抗率を必要とする研究開発に最適です。
大学や研究機関の研究者、エンジニアリングチーム、あるいは新素材の開発を進める企業の事業者向けにおすすめです。事業者向け商品として、プロジェクトのニーズに応じた詳細なカスタマイズが可能です。

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