| 商品番号 | ASO-65-3736-58 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品は、研究・開発用に特化した製品です。高純度の材料を使用したこのウェハーは、少量からのご提供が可能で、質の高い研究をサポートします。
特注対応により、切断角度や厚みの公差をより小さく加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が実現可能です。さらに、多様な形状加工や表面処理により、ニーズに応じたカスタマイズが可能です。
このシリコンウェハーは、直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmのサイズで、P型の導電型を持ち、面方位は100です。抵抗値は≦0.02Ω・cmと低抵抗で、CZ法で製造されています。面状態はミラー/エッチドで、ダストフリーの環境で製造されているため、パーティクルが非常に少ない製品です。TTVは≦25μmで、10枚入りです。
1stオリフラ有り、2ndオリフラ無しの仕様で、半導体向けの結晶材を使用し製造されていますが、材料純度に関する証明等は対応できません。
この製品は、半導体研究や材料開発の分野で活用されるほか、電子デバイスの製造プロセスの研究にも適しています。特に、精密なエッチングや特定の面方位・抵抗率を必要とする研究開発に最適です。
大学や研究機関の研究者、エンジニアリングチーム、あるいは新素材の開発を進める企業の事業者向けにおすすめです。事業者向け商品として、プロジェクトのニーズに応じた詳細なカスタマイズが可能です。