4インチシリコンウェハ 研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 25枚

商品説明

高純度シリコンウェハで研究を加速

4インチシリコンウェハ 研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 25枚は、研究開発用として数多くの実績を誇る高純度シリコンウェハです。
高純度材料を用い、正確な製造方法であるCZ法によって作られたこのウェハは、少量からでもご提供可能です。
その品質と信頼性は、研究者や開発者にとって大きなアドバンテージとなります。

製品仕様と特性

本製品のサイズは4インチで、直径100.0±0.2mm、厚みは525±25μmです。
P型導電型で面方位は（100）、抵抗値は≦0.02Ω・cmと極めて低く、優れた導電性を誇ります。
OF方位は110、OF長は32.5±2.5mmで、面状態はミラー/エッチド仕上げです。パーティクルは≧0.3μm,≦20個、TTVは≦25μmで、極めて高精度な品質を維持しています。

カスタマイズと特注対応

本製品は、特注対応品として、切断角度やOF方位角度公差、厚み公差をより小さく仕上げることが可能です。
さらに、エッチングでの正確な溝形成や、多様な形状加工と表面処理（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）に対応しております。
ご希望の比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズも可能です。

利用用途とおすすめの方

このシリコンウェハは、主に半導体研究、開発、試作プロジェクトに最適です。
特に、高精度のデバイス製作や、特殊な加工が必要なプロジェクトにおいて、その性能を最大限に発揮します。
研究機関、教育機関、企業の研究開発部門の方々におすすめです。
なお、本製品は事業者向け商品であるため、個人向けの用途には適しておりません。

注意事項

※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
1stオリフラ有り、2ndオリフラ無しの仕様です。
事業者向けの商品であり、一般消費者向けではございませんのでご注意ください。