4インチシリコンウェハ 研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 5枚

商品説明

高純度4インチシリコンウェハーで研究開発をサポート

4インチシリコンウェハ 研究用 [P（100）,低抵抗（≦0.005Ω）] 片面ミラーDF品 5枚は、
研究・開発用として実績のある高純度材料を使用しています。CZ法で製造されたこのウェハーは、
高精度な抵抗値（≦0.005Ω）を持ち、P型導電型および面方位100で構成されています。
直径100.0±0.2mm、ウェハー厚525±25μmといった仕様が、
多様な研究ニーズに応えるための基盤を提供します。

用途と特性

このシリコンウェハーは、半導体研究やプロトタイプ開発に最適です。
表面状態がミラー/エッチドであるため、試験に適した均一な表面を提供します。
また、ダストフリー環境での製造により高い信頼性を確保しています。

おすすめの利用者

半導体技術者、研究者、開発エンジニアの方々に特におすすめです。
高精度な特注対応が可能で、比抵抗率やウェハー厚みのカスタマイズも可能ですので、
特定のプロジェクトや高度な研究開発においてご活用いただけます。

特注対応と加工オプション

本製品は特注対応品として、多様な形状加工や表面処理が可能です。
例えば、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、
お客様のニーズに応じた加工が可能です。
さらに、エッチングによる正確な溝形成もサポートしており、
様々な仕様に応じたカスタマイズが可能です。

注意事項

※本製品は事業者向け商品です。
半導体向けの結晶材を使用していますが、材料純度に関する証明等には対応しておりません。
1stオリフラ有り、2ndオリフラ無しの仕様となっています。