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4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),低抵抗(≦0.005Ω)] 片面ミラーDF品 25枚

商品番号ASO-65-3736-63
入数 : 25枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : P型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≦0.005

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

137,700

1箱137,700

3 箱

405,000

1箱135,000

5 箱

661,500

1箱132,300

10 箱

1,255,500

1箱125,550

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

151,470

1箱あたり151,470円

商品価格(税別)

137,700

1箱あたり137,700円

消費税

13,770


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10月15日(木)

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商品仕様

商品番号ASO-65-3736-63
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度シリコンウェハで研究開発をサポート

こちらの「4インチシリコンウェハ 研究用 [P(100),低抵抗(≦0.005Ω)] 片面ミラーDF品 25枚」は、研究・開発用に特化した高純度材料を使用したウェハーです。
高品質なCZ法で製造されたこのウェハーは、直径100.0±0.2mm、厚み525±25μmと安定したサイズを提供します。
さらに、低抵抗値(≦0.005Ω・cm)を実現し、電気的特性にも優れています。

多様な仕様でさまざまな研究に対応

このシリコンウェハは、P型導電型と100面方位の特性を持ち、片面ミラー仕上げとエッチド面の両方を選択可能です。
パーティクルは≧0.3μm,≦20個、TTV(全厚変動)は≦25μmといった精密な仕様が魅力です。
特注対応品として、▼方位や厚み公差の高精度加工、エッチングによる正確な溝形成、多様な形状加工、表面処理も可能です。

おすすめの利用用途と対象

半導体研究や新素材開発、プロトタイプ製作など、精密な特性が求められる研究開発に最適です。
特に、電気的特性や形状精度が重要視されるプロジェクトにおいて、その真価を発揮します。
事業者向けの商品となっており、高度な研究開発に携わる方や、半導体関連の試作・検証を行う企業におすすめです。

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