| 商品番号 | ASO-65-3736-71 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
この4インチシリコンウェハは、研究・開発用として高い実績を誇ります。高純度の材料を使用し、少量からでもご提供可能です。N型シリコンウェハで、面方位は111を採用しており、半導体研究や開発に最適です。
サイズは直径100.0±0.2mm、厚みは525±25μmと精密に設計されています。CZ法で製造されたこのウェハは、抵抗値も1~100Ω・cmと幅広く対応可能です。
特注対応品として、切断角度や厚みの公差をより小さく加工することが可能で、エッチングによる正確な溝形成が可能です。また、多様な形状加工や表面処理にも対応しています。
このシリコンウェハは、半導体デバイスの研究開発に関わる方々に特におすすめです。高純度の結晶材を使用しているため、精密な実験や開発プロジェクトに最適です。
また、比抵抗率やウェハー厚みを調整できるオプションも提供しており、特定の研究条件に合わせたカスタマイズが可能です。これにより、より高精度な実験結果を求める研究者や開発者のニーズに応えます。
事業者向けの商品であるため、企業や研究機関での大量購入や特注仕様にも柔軟に対応可能です。