4インチシリコンウェハ 研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 1枚

商品説明

高純度4インチシリコンウェハー

研究用として実績のある「4インチシリコンウェハ 研究用 [N（100）,1-100Ω,] 片面ミラーDF品 1枚」は、
高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供いたします。
CZ法で製造されたこのシリコンウェハーは、N型導電型と100面方位を持ち、
1〜100Ω・cmの抵抗値を誇ります。
そのため、半導体研究や開発において、正確な測定や加工を必要とする用途に最適です。

仕様詳細

・サイズ：4インチシリコンウェハ
・直径（mm）：100.0±0.2
・ウェハー厚（μm）：525±25
・製造方法：CZ法
・導電型：N型
・面方位：100
・OF方位：110
・抵抗値（Ω・cm）：1～100
・OF長（mm）：32.5±2.5
・面状態：ミラー/エッチド
・パーティクル：ダストフリー
・TTV（μm）：≦25
・数量：1枚
※特注対応品： より高精度な加工が可能です。
方位、厚み公差、エッチングでの正確な溝形成、多様な形状加工が可能です。
※本製品は半導体向けの結晶材を使用していますが、
材料純度に関する証明等には対応しておりません。

用途とおすすめの方

このシリコンウェハーは、半導体の研究開発、微細加工、
センサーやデバイスの試作において、
精密な加工精度が求められる場面で活躍します。
特に、研究機関や開発部門の方々、または精密加工を必要とする企業におすすめです。
事業者向け商品として、品質と性能を追求する方に最適です。