| 商品番号 | ASO-65-3736-75 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚は、
研究・開発用として実績がある高純度のシリコンウェハです。
CZ法で製造されたこのウェハは、N型導電性を持ち、面方位は100で、
抵抗値は1~100Ω・cmと幅広く対応しています。
直径は100.0±0.2mm、厚さは525±25μmと精密に仕上がっており、
表面はミラー仕上げとエッチド仕上げの選択が可能です。
パーティクル数は≧0.3μm,≦20個、TTVは≦25μmと、品質管理が徹底されています。
本製品は、特注対応も可能で、方位や厚みの公差をより小さく加工し、
エッチングでの正確な溝形成が可能です。
さらに、ざぐり加工や穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、
多様な形状加工と表面処理に対応しています。
ご希望の比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズも承ります。
このシリコンウェハは、主に半導体研究やデバイス開発に携わる研究者や技術者に最適です。
高精度な加工が求められるプロジェクトや、
細かな仕様に応じたカスタムが必要な開発環境において、
本製品はその性能を最大限に発揮します。
材料純度に関する証明はできませんが、
半導体向けの結晶材を使用しているため、事業者向けに安心してご利用いただけます。