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4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚

商品番号ASO-65-3736-75
入数 : 25枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : N型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : 1~100

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

76,500

1箱76,500

3 箱

225,000

1箱75,000

5 箱

367,500

1箱73,500

10 箱

697,500

1箱69,750

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

84,150

1箱あたり84,150円

商品価格(税別)

76,500

1箱あたり76,500円

消費税

7,650


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最短出荷日

9月7日(月)

コンビニ払い / 銀行振込:

9月8日(火)

お届け日の目安

※ 気象状況や運行状況により確約できるものではございません。

商品仕様

商品番号ASO-65-3736-75
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

研究開発用に最適な高純度シリコンウェハ

4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 25枚は、
研究・開発用として実績がある高純度のシリコンウェハです。
CZ法で製造されたこのウェハは、N型導電性を持ち、面方位は100で、
抵抗値は1~100Ω・cmと幅広く対応しています。
直径は100.0±0.2mm、厚さは525±25μmと精密に仕上がっており、
表面はミラー仕上げとエッチド仕上げの選択が可能です。
パーティクル数は≧0.3μm,≦20個、TTVは≦25μmと、品質管理が徹底されています。

多様な加工と表面処理に対応

本製品は、特注対応も可能で、方位や厚みの公差をより小さく加工し、
エッチングでの正確な溝形成が可能です。
さらに、ざぐり加工や穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、
多様な形状加工と表面処理に対応しています。
ご希望の比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズも承ります。

用途とおすすめの方

このシリコンウェハは、主に半導体研究やデバイス開発に携わる研究者や技術者に最適です。
高精度な加工が求められるプロジェクトや、
細かな仕様に応じたカスタムが必要な開発環境において、
本製品はその性能を最大限に発揮します。
材料純度に関する証明はできませんが、
半導体向けの結晶材を使用しているため、事業者向けに安心してご利用いただけます。

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