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4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),高抵抗(≧1000Ω)] 片面ミラーDF品 1枚

商品番号ASO-65-3736-76
入数 : 1枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : N型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≧1000

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

125,460

1箱125,460

3 箱

369,000

1箱123,000

5 箱

602,700

1箱120,540

10 箱

1,143,900

1箱114,390

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

138,006

1箱あたり138,006円

商品価格(税別)

125,460

1箱あたり125,460円

消費税

12,546


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お届け日の目安

※ 気象状況や運行状況により確約できるものではございません。

商品仕様

商品番号ASO-65-3736-76
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度シリコンウェハの魅力

4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),高抵抗(≧1000Ω)] 片面ミラーDF品は、研究・開発用として実績がある高純度材料を使用したウェハです。
FZ法で製造され、N型の導電型を持ち、面方位は100とされています。
この製品は、抵抗値が≧1000Ω・cmを誇り、表面はミラー仕上げでダストフリーのため、非常に高品質です。

優れた特性と用途

このウェハは、直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmと非常に精密に加工されています。
TTVは≦25μmと均一な厚みを保ち、OF方位は110で32.5±2.5mmの長さです。
特注対応品として、切断角度やOF方位角度公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングによる正確な溝形成も可能です。
また、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理に対応しています。

おすすめの用途とユーザー

このシリコンウェハは、半導体研究や開発に携わる研究者やエンジニアの方に最適です。
高抵抗値と高純度を必要とする電子デバイスやセンサーの開発において、その性能を最大限に発揮します。
また、特定の比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズにも対応しているため、特定の要件を求めるプロジェクトにもお勧めです。
※本製品は事業者向けとなっておりますので、一般の方はご購入いただけません。

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