| 商品番号 | ASO-65-3736-76 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),高抵抗(≧1000Ω)] 片面ミラーDF品は、研究・開発用として実績がある高純度材料を使用したウェハです。
FZ法で製造され、N型の導電型を持ち、面方位は100とされています。
この製品は、抵抗値が≧1000Ω・cmを誇り、表面はミラー仕上げでダストフリーのため、非常に高品質です。
このウェハは、直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmと非常に精密に加工されています。
TTVは≦25μmと均一な厚みを保ち、OF方位は110で32.5±2.5mmの長さです。
特注対応品として、切断角度やOF方位角度公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングによる正確な溝形成も可能です。
また、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理に対応しています。
このシリコンウェハは、半導体研究や開発に携わる研究者やエンジニアの方に最適です。
高抵抗値と高純度を必要とする電子デバイスやセンサーの開発において、その性能を最大限に発揮します。
また、特定の比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズにも対応しているため、特定の要件を求めるプロジェクトにもお勧めです。
※本製品は事業者向けとなっておりますので、一般の方はご購入いただけません。