| 商品番号 | ASO-65-3736-81 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品 5枚は、研究・開発の現場で幅広く活用されている高純度のシリコンウェハです。
その純度と精度は、少量からでもご提供可能で、実績ある製品として信頼を得ています。
CZ法を用いた製造により、安定した品質を実現しています。
このウェハのサイズは4インチ(直径:100.0±0.2mm)、厚さは525±25μmで、特に低抵抗値(≦0.02Ω・cm)が特徴です。
面方位は100、OF方位は110で、ダストフリーなミラー/エッチド状態が保たれています。
また、TTV(総厚み変動)が25μm以下という高精度仕様で、研究開発におけるさまざまな実験に対応します。
本製品は特注対応品であり、▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することが可能です。
さらに、エッチングによる精確な溝形成、多様な形状加工や表面処理(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)にも対応しています。
比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズも可能ですので、用途に合わせた最適な製品をご提供します。
このシリコンウェハは、半導体研究、材料開発、電子デバイスの試作など、最先端の研究・開発プロジェクトに最適です。
特に、高精度が求められる用途や、特殊な形状や表面処理が必要なプロジェクトにおいて、その性能を発揮します。
事業者向けの商品であり、プロフェッショナルな環境での使用におすすめです。