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ウェハー・基板のカテゴリ人気8位

4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品 5枚

商品番号ASO-65-3736-81
入数 : 5枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : N型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≦0.02

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

89,964

1箱89,964

3 箱

264,600

1箱88,200

5 箱

432,180

1箱86,436

10 箱

820,260

1箱82,026

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

98,960

1箱あたり98,960.4円

商品価格(税別)

89,964

1箱あたり89,964円

消費税

8,996


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商品仕様

商品番号ASO-65-3736-81
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度シリコンウェハの魅力

4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品 5枚は、研究・開発の現場で幅広く活用されている高純度のシリコンウェハです。
その純度と精度は、少量からでもご提供可能で、実績ある製品として信頼を得ています。
CZ法を用いた製造により、安定した品質を実現しています。

製品仕様の特徴

このウェハのサイズは4インチ(直径:100.0±0.2mm)、厚さは525±25μmで、特に低抵抗値(≦0.02Ω・cm)が特徴です。
面方位は100、OF方位は110で、ダストフリーなミラー/エッチド状態が保たれています。
また、TTV(総厚み変動)が25μm以下という高精度仕様で、研究開発におけるさまざまな実験に対応します。

多様な加工オプション

本製品は特注対応品であり、▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することが可能です。
さらに、エッチングによる精確な溝形成、多様な形状加工や表面処理(例:ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー)にも対応しています。
比抵抗率やウェハー厚みに合わせたカスタマイズも可能ですので、用途に合わせた最適な製品をご提供します。

おすすめの利用用途

このシリコンウェハは、半導体研究、材料開発、電子デバイスの試作など、最先端の研究・開発プロジェクトに最適です。
特に、高精度が求められる用途や、特殊な形状や表面処理が必要なプロジェクトにおいて、その性能を発揮します。
事業者向けの商品であり、プロフェッショナルな環境での使用におすすめです。

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