| 商品番号 | ASO-65-3736-84 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
この4インチシリコンウェハは、研究・開発用としての実績を誇る高純度材料を用いており、少量からのご提供が可能です。
直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmの仕様で、N型導電型と面方位100を持ち、抵抗値は驚異の≦0.005Ω・cmを実現しています。高精度なCZ法で製造され、片面ミラー仕上げでのダストフリー環境を提供します。
このシリコンウェハは、半導体デバイスの試作や製造プロセスの研究開発に最適です。
正確な溝形成が可能なエッチング加工や、ざぐり加工、穴あけ加工といった多様な形状加工にも対応可能です。さらに、酸化膜付きウェハーとしての利用も可能で、幅広い研究開発ニーズをサポートします。
この製品は、半導体関連の研究機関や大学、企業の研究開発部門の方に特におすすめです。
高い精度が求められる試作プロジェクトや、特殊な材料特性を必要とする研究開発プロジェクトに最適な選択肢となります。
※本製品は事業者向けの商品であり、材料純度に関する証明等には対応しておりませんのでご了承ください。