| 商品番号 | ASO-65-3736-85 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
当商品「4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),低抵抗(≦0.005Ω)] 片面ミラーDF品 5枚」は、研究・開発用として高い実績を持つ高純度材料を使用したシリコンウェハです。
少量からの購入が可能で、実験や開発プロセスを効率的にサポートします。低抵抗値を誇り、高精度な加工が可能な点が魅力です。
このシリコンウェハは、直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmと安定した物理特性を持っています。
CZ法で製造されたN型ウェハで、面方位は100、OF方位は110であり、抵抗値は≦0.005Ω・cmと非常に低いのが特徴です。
また、ダストフリー仕様であり、ミラー仕上げの面状態が精密な研究に最適です。
本製品は半導体向けの結晶材料を使用しておりますが、特注対応が可能です。
▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差を小さく加工でき、エッチングによる正確な溝形成が可能です。
さらに、多様な形状加工や表面処理(ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど)にも対応しています。
このシリコンウェハは、半導体の研究開発を行っている企業や機関に最適です。
特に高精度な加工が求められるプロジェクトや、特定の比抵抗率や厚みを必要とする実験において、その性能を発揮します。
事業者向けの商品として、産業用途やアカデミックな研究開発にお勧めです。