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4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),低抵抗(≦0.005Ω)] 片面ミラーDF品 5枚

商品番号ASO-65-3736-85
入数 : 5枚

1枚

5枚

10枚

25枚

面方位 : 100

100

111

導電型 : N型

P型

ドンドープ

N型

抵抗値(Ω・cm) : ≦0.005

1~100

≧1000

≧10000

≧20000

≦0.02

≦0.005

1 箱

96,696

1箱96,696

3 箱

284,400

1箱94,800

5 箱

464,520

1箱92,904

10 箱

881,640

1箱88,164

注意事項

沖縄・離島への配送不可です

この商品は法人専用です
在庫
あり

合計金額(税込)

106,365

1箱あたり106,365.6円

商品価格(税別)

96,696

1箱あたり96,696円

消費税

9,669


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10月14日(水)

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10月15日(木)

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商品仕様

商品番号ASO-65-3736-85
梱包形態

1箱入り / 完全梱包

3箱入り / 完全梱包

5箱入り / 完全梱包

10箱入り / 完全梱包

商品説明

高純度シリコンウェハで研究をサポート

当商品「4インチシリコンウェハ 研究用 [N(100),低抵抗(≦0.005Ω)] 片面ミラーDF品 5枚」は、研究・開発用として高い実績を持つ高純度材料を使用したシリコンウェハです。
少量からの購入が可能で、実験や開発プロセスを効率的にサポートします。低抵抗値を誇り、高精度な加工が可能な点が魅力です。

優れた仕様と加工の柔軟性

このシリコンウェハは、直径100.0±0.2mm、厚さ525±25μmと安定した物理特性を持っています。
CZ法で製造されたN型ウェハで、面方位は100、OF方位は110であり、抵抗値は≦0.005Ω・cmと非常に低いのが特徴です。
また、ダストフリー仕様であり、ミラー仕上げの面状態が精密な研究に最適です。

幅広い用途とカスタマイズ

本製品は半導体向けの結晶材料を使用しておりますが、特注対応が可能です。
▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差を小さく加工でき、エッチングによる正確な溝形成が可能です。
さらに、多様な形状加工や表面処理(ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど)にも対応しています。

おすすめの利用用途と対象

このシリコンウェハは、半導体の研究開発を行っている企業や機関に最適です。
特に高精度な加工が求められるプロジェクトや、特定の比抵抗率や厚みを必要とする実験において、その性能を発揮します。
事業者向けの商品として、産業用途やアカデミックな研究開発にお勧めです。

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