| 商品番号 | ASO-65-3737-89 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
この6インチ(SEMI)シリコンウェハは、研究・開発用途に最適な高純度材料を採用しています。
CZ法により製造され、P型導電型と面方位100が特徴です。
ダストフリーの清潔な環境で管理され、表面はミラーとエッチドの両方に対応しています。
厚みは675±25μm、直径は150.0±0.2mmで、抵抗値は1~100Ω・cmを誇ります。
また、特注対応品として、より高精度な加工が可能です。
このシリコンウェハは、エッチングによる正確な溝形成や、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど多様な形状加工に対応しています。
特に、比抵抗率やウェハー厚みに関してカスタマイズが可能で、さまざまな研究・開発シナリオにおいて高い柔軟性を提供します。
本商品は、半導体研究に従事する開発者や研究者におすすめです。
その高精度な加工技術は、精密な実験やプロトタイプの製作において、品質を重視する方に最適です。
なお、事業者向けの商品となっており、材料純度に関する証明書の発行は対応しておりません。