| 商品番号 | ASO-65-3737-90 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
この6インチ(SEMI)シリコンウェハは、研究開発の現場で多くの実績を持つ高純度材料を使用し、少量からご提供いたします。
高精度なCZ法で製造され、P型導電型、面方位100を持つため、様々な研究用途に対応可能です。
抵抗値は1~100Ω・cmの範囲で安定しており、厚みは675±25μmに加工されています。
さらに、ダストフリーの環境で製造し、ミラー仕上げの表面状態により、極めて高い品質を誇ります。
このウェハは、特注対応が可能で、▼方位やOF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができます。
エッチングによる正確な溝形成や、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理にも対応可能です。
ご希望の比抵抗率やウェハー厚みに合わせたオーダーメイド対応も可能ですので、特定の研究ニーズに合わせたウェハが必要な場合に最適です。
このシリコンウェハは、半導体研究やデバイス開発、材料評価など、精密な特性が求められる研究開発分野で特におすすめです。
研究機関や大学の研究室、企業の開発部門など、最先端の技術を追求する方々にご利用いただけます。
高純度で正確な加工が可能なため、特定の実験条件やデバイス設計に対しても安心してご使用いただけます。