| 商品番号 | ASO-65-3738-05 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
6インチ(SEMI)シリコンウェハ 研究用 [P(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品は、
高純度材料を用いて製造されたウェハーで、研究・開発用として多くの実績があります。
少量からの提供が可能で、品質を重視する研究者や開発者に最適です。
このシリコンウェハーは、直径150.0±0.2mm、厚さ675±25μmで設計されています。
製造方法にはCZ法を採用しており、P型導電型、面方位100の仕様です。
抵抗値は≦0.02Ω・cmと低く、精密な電子回路の基盤として最適です。
また、ミラー/エッチドの面状態で、ダストフリーを実現しています。
さらに、TTVは≦25μmで、均一な厚みを保証します。
この製品は、特注対応品として、様々な形状加工と表面処理が可能です。
例えば、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、
お客様のニーズに合わせたカスタマイズが可能です。
また、エッチングによる正確な溝形成ができ、精密なデバイス開発に役立ちます。
このシリコンウェハーは、半導体向けの結晶材を使用し、
高度な研究開発を行う大学や企業の研究者におすすめです。
特に、半導体デバイスの試作や検証を行う際に、その高純度と低抵抗が効果を発揮します。
電子材料の研究や新しい製品開発において、信頼性の高い基盤としてご使用いただけます。
※本製品は事業者向け商品であり、材料純度に関する証明等には対応しておりません。