| 商品番号 | ASO-65-3738-06 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
この6インチ(SEMI)シリコンウェハ [P(100),低抵抗(≦0.02Ω)] は、研究用として実績のある高純度の材料を用いています。
CZ法で製造されたこのウェハは、直径150.0±0.2mmの精度を誇り、厚みは675±25μmで安定した性能を提供します。
導電型はP型、面方位は100で、OF方位は110、OF長は57.5±2.5mmです。
片面ミラーDF品であり、ダストフリーの環境で管理されています。
この製品は、特注対応が可能で、▼方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができます。
エッチングによる正確な溝形成が可能で、多様な形状加工と表面処理にも対応しています。
これにより、研究者や開発者は、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、特定の研究ニーズに合わせた製品を手に入れることができます。
このシリコンウェハは、半導体研究や開発のために設計されており、高純度であるため、精密な実験を必要とするプロジェクトに最適です。
特に、半導体材料の特性を探る研究者や、新技術の開発に携わる技術者におすすめです。
また、比抵抗率やウェハー厚みのカスタマイズが可能なため、特定の要件を持つ研究プロジェクトにも幅広く対応可能です。
本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
また、本製品は事業者向けに販売されておりますので、個人でのご購入はご遠慮ください。