| 商品番号 | ASO-65-3738-07 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
6インチ(SEMI)シリコンウェハ 研究用 [P(100),低抵抗(≦0.02Ω)] 片面ミラーDF品は、
研究・開発における高精度な実験を支える理想的な素材です。高純度材料を用いており、
少量からの提供が可能なため、多様なニーズに応えます。
このシリコンウェハは、直径150.0±0.2mm、厚さ675±25μmのサイズを持ち、
CZ法で製造されています。P型の導電型で、面方位は100に設定されており、
抵抗値は≦0.02Ω・cmと非常に低いのが特徴です。OF方位110、
OF長57.5±2.5mmという仕様も備えています。
スムーズな表面状態(ミラー/エッチド)とダストフリーの清潔さを誇ります。
特注対応品により、方位(切断角度)、OF方位角度公差、厚み公差を高精度に加工できます。
また、エッチングでの正確な溝形成が可能で、ざぐり加工や穴あけ加工、
酸化膜付きウェハーなど、多様な形状加工と表面処理に対応します。
比抵抗率やウェハー厚みに関するご要望にもお応えします。
本製品は特に半導体研究や開発プロジェクトに従事されている方に適しています。
高精度な実験やプロトタイプ開発を行う際に、その性能を最大限に活かすことができます。
材料純度の証明が不要な事業者向け製品として、研究所や開発部門での利用に最適です。