| 商品番号 | ASO-65-3738-16 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
この6インチ(SEMI)シリコンウェハは、研究・開発用として多くの実績を誇り、
高純度の材料を使用して製造されています。少量からのご注文にも対応可能で、
研究者や開発者のニーズに応じた柔軟な対応が可能です。
高品質なミラー面とエッチングされた面を持ち、ダストフリーの環境での使用にも適しています。
このシリコンウェハは、直径150.0±0.2mm、厚み675±25μmのサイズで、
N型導電性を持ち、面方位は100に設定されています。
抵抗値は1~100Ω・cmで、製造方法にはCZ法を採用。
また、OF方位は110で、57.5±2.5mmのOF長を備えています。
TTV(Total Thickness Variation)は25μm以下を維持し、
高精度な加工が可能です。
このウェハは、特注対応品として、方位やOF方位角度公差、
厚み公差をより小さく高精度に加工することが可能です。
また、エッチングによる正確な溝形成や、ざぐり加工、
穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなどの多様な形状加工と表面処理も対応可能です。
これにより、半導体研究やプロトタイピング、
試験的な製品開発に最適です。
この商品は、主に研究機関や開発部門を持つ企業におすすめです。
特に、半導体製品の研究開発に携わる方や、
高精度な結晶材料を必要とするプロジェクトに最適です。
高純度であるため、実験や試作段階での信頼性が求められる場面で大きな強みを発揮します。