| 商品番号 | ASO-65-3738-18 |
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| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
6インチ(SEMI)シリコンウェハ 研究用 [N(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品 10枚は、研究開発に最適な高純度のシリコンウェハです。
高精度な加工が可能で、少量からご提供いたします。
CZ法で製造され、面方位100のN型導電性を持ち、抵抗値は1~100Ω・cmと幅広く対応可能です。
さらに、片面がミラー仕上げで、エッチド面も選択可能なため、用途に合わせた最適な選択が可能です。
このシリコンウェハの直径は150.0±0.2mm、厚さは675±25μmであり、TTVは≦25μmと高精度を誇ります。
ダストフリーなパーティクル管理により、純度の高い環境を維持し、ウェハの品質を最大限に引き出します。
また、特注対応品として、切断角度や厚み公差をより小さくする高精度加工や、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど様々な形状加工と表面処理が可能です。
このシリコンウェハは、半導体研究開発、ナノテクノロジーの研究、大学や企業の実験室での使用に最適です。
特に、詳細なエッチングや精密な溝形成を必要とするプロジェクトにおいて、その性能を発揮します。
また、高精度な特注加工が可能なため、特定の研究ニーズを持つ研究者やエンジニアにとって理想的な選択肢となります。
事業者向けの商品として、製造業や研究機関のプロフェッショナルにおすすめです。