| 商品番号 | ASO-65-3738-19 |
|---|---|
| 梱包形態 | 1箱入り / 完全梱包 3箱入り / 完全梱包 5箱入り / 完全梱包 10箱入り / 完全梱包 |
6インチ(SEMI)シリコンウェハ 研究用 [N(100),1-100Ω,] 片面ミラーDF品は、
研究・開発用として実績のある、高純度材料を使用したウェハです。
少量からのご提供が可能で、特注対応にも柔軟に対応します。
CZ法で製造され、N型導電性を持ち、面方位は100です。
ミラー/エッチドの面状態により、製品の高い精度が約束されます。
パーティクルは0.3μm以下で20個以下、TTVは25μm以下で、
高精度な研究に最適です。
- サイズ:6インチ(SEMI)シリコンウェハ
- 直径:150.0±0.2 mm
- ウェハー厚:675±25 μm
- 抵抗値:1~100 Ω・cm
- OF方位:110
- OF長:57.5±2.5 mm
- 数量:25枚(1箱)
- 1stオリフラ有り、2ndオリフラ無し
本製品は半導体向けの結晶材を使用しており、
高精度な研究開発や製品テストに最適です。
特に、エッチングでの正確な溝形成が可能で、
多様な形状加工と表面処理に対応しています。
ざぐり加工や穴あけ加工、酸化膜付きウェハーなど、
ご希望に応じた加工が可能です。
材料純度に関する証明等には対応できませんが、
高い精度を求める研究者や開発者の方におすすめです。
※事業者向け商品であることをご留意ください。