6インチ（SEMI）シリコンウェハ 研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品 1枚

商品説明

高精度な研究・開発に最適なシリコンウェハ

6インチ（SEMI）シリコンウェハ 研究用 [N（100）,低抵抗（≦0.02Ω）] 片面ミラーDF品は、高純度材料を用い、少量から提供可能なウェハです。
研究・開発用としての実績を誇り、特に半導体分野における精密な加工が求められる用途に最適です。
このウェハは直径150.0±0.2mm、厚み675±25μmで、CZ法による製造が施されており、N型の導電型を有しています。
面方位は100、抵抗値は≦0.02Ω・cmと、非常に低抵抗であるため、電気的特性が重要な用途においてその真価を発揮します。

精密加工と多様な表面処理対応

このウェハは、ダストフリーのパーティクル管理が行われており、面状態はミラー仕上げが施されています。
TTV（総厚み変動）は≦25μmと均一性が高く、特注対応品として、切断角度やOF方位角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することが可能です。
エッチングによる正確な溝形成や、ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付加など、多様な形状加工と表面処理が可能です。
これにより、特定の研究ニーズに応じたカスタマイズが可能となり、用途に応じた最適なウェハを提供します。

利用用途とおすすめのユーザー

本製品は、半導体研究や開発プロジェクト、特に高精度な電気的特性が求められるデバイス製造において非常に有用です。
特に、大学や研究機関、先端技術を扱う企業の研究者やエンジニアにおすすめです。
また、特殊な比抵抗率やウェハー厚みに合わせた対応が可能なため、カスタム仕様が求められるプロジェクトにも最適です。
なお、本製品は事業者向け商品であり、材料純度に関する証明書などの発行は行っておりませんが、信頼性の高い製品として多くの皆様にご利用いただいております。