研究用高純度シリコンウェハー　6×N型　1枚入

商品説明

仕様

●サイズ（インチ）×伝導型：6×N型
●OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：47.5±2.5×625±25
●製造方法：CZ法
●面方位：100
●OF位置：110
●抵抗値：0.1～100Ω・cm
●パーティクル：パーティクル不問
●入数：1枚
●特注対応品について
●①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。
●②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。
●③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。
●④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。
●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。